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NP110N03PUG
500
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
450
400
350
300
250
200
150
100
Pulsed
V GS = 10 V
100
10
1
0.1
0.01
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 55°C
? 25°C
25°C
85°C
125°C
150°C
175°C
50
0
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
2
4
6
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3.5
1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
3
2.5
100
T A = ? 55°C
25°C
85°C
2
1.5
1
0.5
0
V GS = V DS
I D = 250 μ A
Pulsed
10
1
125°C
175°C
-100
-50
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
5
Pulsed
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
3
Pulsed
4
2.5
2
I D = 110 A
55 A
22 A
3
1.5
2
1
0
V GS = 10 V
1
0.5
0
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16851EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
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