收藏本站
NP110N03PUG
500
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
450
400
350
300
250
200
150
100
Pulsed
V GS = 10 V
100
10
1
0.1
0.01
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 55°C
? 25°C
25°C
85°C
125°C
150°C
175°C
50
0
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
2
4
6
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3.5
1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
3
2.5
100
T A = ? 55°C
25°C
85°C
2
1.5
1
0.5
0
V GS = V DS
I D = 250 μ A
Pulsed
10
1
125°C
175°C
-100
-50
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
5
Pulsed
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
3
Pulsed
4
2.5
2
I D = 110 A
55 A
22 A
3
1.5
2
1
0
V GS = 10 V
1
0.5
0
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16851EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP110N04PDG-E1-AY MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
NP110N04PUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
NP110N04PUJ-E1B-AY MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
NP110N055PUG-E2-AY MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
NP110N055PUJ-E2B-AY MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
NP15P06SLG-E1-AY MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252
NP160N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
NP161N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
相关代理商/技术参数
NP110N04PDG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP110N04PDG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,40V/110A,Tch175
NP110N04PUG(1)-E1-AY/K 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP110N04PUG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP110N04PUG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,40V/110A,Tch175
NP110N04PUJ 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP110N04PUJ-E1B-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP110N04PUJ-E2B-AY 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR